[Publication] 2023 Symposium on VLSI Technology and Circuits - Junghyeon, Hwang
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작성일 2023-04-14 10:25 조회 1,572회 댓글 0건
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Junghyeon Hwang presented his paper in VLSI 2023 entitled
"Ultra-high Tunneling Electroresistance Ratio (2×104) & Endurance (108) in Oxide Semiconductor-Hafnia Self-rectifying (1.5×103) Ferroelectric Tunnel Junction".
Thank you for your excellent research work.
Congratulation!
ANTONIS LAB의 황정현 (박사 과정) 학생이 2023년도 VLSI에서 "Ultra-high Tunneling Electroresistance Ratio (2×104) & Endurance (108) in Oxide Semiconductor-Hafnia Self-rectifying (1.5×103) Ferroelectric Tunnel Junction" 제목의 논문을 개제하였습니다.
놀라운 성과를 축하 드립니다!
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