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Development of Disturbance-Free 3D FE NAND Element Technology Capable of High-Density, Low-Voltage, TLC Operation of 1000+ Layers
연구과제명: 1000단 이상의 고집적, 저전압, TLC 동작이 가능한 교란성이 없는 (Disturb-free) 3D FE NAND 요소 기술 개발연구비: 135,000,000 원(…
Period : 2023-04-01 ~ 2025-12-31