Completed Low-Temperature Crystallization of Nitride Electrode-Based Dielectric Films
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연구과제명: Nitride 전극 기반 유전막의 저온 결정화
연구비: 60,000,000 원/년
Period: 2023-06-01 ~ 2024-05-31
Sponsor: Samsung Advanced Institute of Technology (SAIT)
연구과제명: Nitride 전극 기반 유전막의 저온 결정화
연구비: 60,000,000 원/년
Period: 2023-06-01 ~ 2024-05-31
Sponsor: Samsung Advanced Institute of Technology (SAIT)