On-going

Development of Semiconductor-Secondary Battery Interfacing Equipment and Process Platform Technology

연구과제명: 반도체-이차전지 인터페이싱 장비 및 공정 플랫폼 기술 개발연구비: 30,000,000 원/년

On-going

Research on High-Sensitivity LWIR (Long-Wave Infrared) Image Sensor

연구과제명: 고감도 LWIR 이미지 센서 연구연구비: 60,000,000 원

On-going

Research on Overcoming the Limits of H3 (Extreme Scale-Extreme Property-Heterogeneous Integration) Semiconductor Technology

연구과제명: H3(극한 스케일-극한 물성-이종 집적) 한계 극복 반도체 기술 연구연구비: 100,000,000 원

On-going

Development of High Mobility Channel/Dielectric Materials for Ultra-High 3D NAND Memory and Establishment of AI-Based Large-Scale Analysis Platform

연구과제명: 초고층 3D NAND 메모리를 위한 고이동도 채널/유전막 신소재 개발 및 AI 기반 대규모 해석 플랫폼 구축연구비: 150,000,000 원(정부), 150,000,…