On-going Development of Disturbance-Free 3D FE NAND Element Technology Capable of High-Density, Low-Voltage, TLC Operation of 1000+ Layers
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연구과제명: 1000단 이상의 고집적, 저전압, TLC 동작이 가능한 교란성이 없는 (Disturb-free) 3D FE NAND 요소 기술 개발
연구비: 135,000,000 원(정부), 135,000,000 원(민간)
Period: 2023-04-01 ~ 2025-12-31
Sponsor: Korea Evaluation Institute of Industrial Technology (KEIT)